阻错晶格及新奇电子态研究
2025.10.21
投稿：邵奋芬部门：理学院浏览次数：
活动信息
报告题目 (Title)：阻错晶格及新奇电子态研究
报告人 (Speaker)：杜轶 教授（北京航空航天大学）
报告时间 (Time)：2025年10月20日（周一）11:00-12:30
报告地点 (Place)：宝山校区G601
邀请人(Inviter)：任龙
主办部门：量子科技研究院/理学院物理系
报告摘要：
拓扑电子平带是一种有望实现包括超导、室温分数量子霍尔效应的新型电子态，由于其新奇的物理性质在近些年得到了广泛关注。理论预测，在强自旋轨道耦合的阻错结构中，电子波函数交叠引起的量子干涉可产生拓扑平带。本报告将介绍我们近期在低维阻错晶格构筑及电子平带探索的研究工作。在多种低维体系中通过链间堆垛、层间旋转、表面化学吸附、层间结构控制等手段，实现了阻挫晶格（triangle、kagome、Lieb、breathing kagome、distorted colouring triangle）或者相似阻错势场，并观察到其对应的电子平带及狄拉克电子态 [1-5]。在充分探索低维阻挫材料制备和精确控制结构-电性耦合的基础上 ，再结合各种超高真空原位分析手段对所产生的阻错势场进行深入的分析和研究，探究其产生的拓扑平带的物理本质。利用掺杂元素、吸附原子/分子、应力和高压发展出多种电子平带的调控手段，实现了包括拓扑相变、超导电性、非线性光学性质在内的一系列新奇物性。我们期望通过这些工作为了解和调控拓扑平带量子特性奠定实验基础，并为在低维体系中实现可控新奇物性提供可行的技术路线。
